De elementbasis van halfgeleiderelementen groeit voortdurend. Elke nieuwe uitvinding op dit gebied verandert in feite het hele idee van elektronische systemen. De ontwerpmogelijkheden van circuits veranderen, nieuwe apparaten die daarop zijn gebaseerd, ontstaan. Er is veel tijd verstreken sinds de uitvinding van de eerste transistor (1948). De "pnp" en "npn" structuren, bipolaire transistoren, werden uitgevonden. Na verloop van tijd verscheen ook de MIS-transistor, die werkte volgens het principe van het veranderen van de elektrische geleidbaarheid van de halfgeleiderlaag nabij het oppervlak onder invloed van een elektrisch veld. Daarom is een andere naam voor dit element field.
De afkorting MIS (metal-dielectric-halfgeleider) kenmerkt de interne structuur van dit apparaat. De poort is inderdaad geïsoleerd van de afvoer en de bron door een dunne niet-geleidende laag. Een moderne MIS-transistor heeft een poortlengte van 0,6 µm. Alleen een elektromagnetisch veld kan er doorheen gaan - dit is wat de elektrische toestand van de halfgeleider beïnvloedt.
Laten we eens kijken hoe een FET werkt en ontdekken wat het belangrijkste verschil is metbipolaire "broer". Wanneer de vereiste potentiaal verschijnt, verschijnt er een elektromagnetisch veld op de poort. Het beïnvloedt de weerstand van de afvoer-bronovergang. Hier zijn enkele voordelen van het gebruik van dit apparaat.
- In de open toestand is de overgangsweerstand van de afvoer naar de bron erg klein en wordt de MIS-transistor met succes gebruikt als elektronische sleutel. Het kan bijvoorbeeld een operationele versterker aansturen door een belasting te rangeren of deel te nemen aan logische circuits.
- Ook opmerkelijk is de hoge ingangsimpedantie van het apparaat. Deze parameter is behoorlijk relevant bij het werken in laagstroomcircuits.
- De lage capaciteit van de drain-source junction maakt het mogelijk om de MIS-transistor te gebruiken in hoogfrequente apparaten. Er is geen vervorming in de signaaloverdracht tijdens het proces.
- De ontwikkeling van nieuwe technologieën bij de productie van elementen heeft geleid tot de creatie van IGBT-transistoren die de positieve eigenschappen van veld- en bipolaire elementen combineren. De daarop gebaseerde vermogensmodules worden veel gebruikt in softstarters en frequentieomvormers.
Bij het ontwerpen en werken met deze elementen moet er rekening mee worden gehouden dat MIS-transistoren erg gevoelig zijn voor overspanning in het circuit en statische elektriciteit. Dat wil zeggen, het apparaat kan falen bij het aanraken van de bedieningsterminals. Gebruik bij installatie of demontage speciale aarding.
De vooruitzichten voor het gebruik van dit apparaat zijn erg goed. Dankzijzijn unieke eigenschappen, heeft het een brede toepassing gevonden in verschillende elektronische apparatuur. Een innovatieve trend in moderne elektronica is het gebruik van power IGBT-modules voor gebruik in verschillende circuits, waaronder inductiecircuits.
De technologie van hun productie wordt voortdurend verbeterd. Er zijn ontwikkelingen gaande om de lengte van het rolluik op te schalen (verkleinen). Dit zal de toch al goede prestaties van het apparaat verbeteren.
